Оператор плазмохимических процессов (4-й разряд)
Характеристика работ
Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
Нужно знать
- устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия
- кинематику, электрические и вакуумные схемы
- правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов
- назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин
- способы и методы контроля степени вакуума
- основные свойства и характеристики плазмообразующих сред
- основы процесса плазмохимического травления
- оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы
- основные законы электротехники и вакуумной техники
Примеры работ
1. Кремниевые пластины — плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо-структуры с фоторезистом — ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок.
3. Пластины — удаление фоторезиста на плазмохимических установках.
4. Пластины кремния — плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины — ионно-плазменное нанесение Fe2O3.
Индикаторы жидкокристаллические — удаление полиамида на плазмохимических установках.