Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ-монолитных интегральных схем2669н03.02.2014Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей40.007Производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных (СВЧ) монолитных интегральных схем (МИС СВЧ) с использованием нанотехнологий2113.Химики32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулейAМоделирование, разработка и внедрение новых технологических процессов производства наногетероструктурных МИС СВЧ7Ведущий инженер-технологИнженер-технологВысшее образование - специалитет, магистратураНе менее одного года работы в должности инженера-технологаПрохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;инструктаж по безопасному ведению работ32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей-Инженер-технолог32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулейA/01.7Анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной электроники СВЧ7Анализ применения материалов в интегральной электронике СВЧ, основанной на гетероэпитаксиальных структурахАнализ физических и технологических принципов разработки и изготовления активных элементов с применением новых и традиционных материалов СВЧ (гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, низкобарьерных диодов и др.)Прогноз применения материалов в наногетероструктурной электронике для определения политики организации в области производства наногетероструктурных МИС СВЧДелать обзоры по отечественным и иностранным источникам информацииТехнический английский языкОсновы материаловедения полупроводников и гетероструктурТехнология наногетероструктурных МИС СВЧТехнологическое оборудование для производства МИС СВЧТехнико-экономические и прогнозные исследования в отраслиОтветственность за прогнозные оценки развития производстваДеятельность, направленная на решение нетиповых задач технологического характераA/02.7Разработка планов создания и модернизации технологических линий для освоения новых направлений в наногетероструктурной электронике СВЧ7Анализ тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧРазработка технически и экономически обоснованных планов развития новых производств или модернизации существующих для освоения новых направлений в производстве МИС СВЧПредставление планов развития для обсуждения и принятия на научно-техническом совете (НТС)Делать обзоры по отечественным и иностранным источникам информацииГотовить планы развитияГотовить презентацииТехнический английский языкТехнология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направленияхТехнологическое оборудование для производства МИС СВЧТехнико-экономические и прогнозные исследования в отраслиОтветственность за прогнозные оценки развития производстваДеятельность, направленная на решение новых задач технологического характераA/03.7Подготовка технического задания (ТЗ) на проведение опытно-технологических работ (ОТР) по разработке новых технологических процессов производства МИС СВЧ7Анализ прогнозных оценок тенденций развития технологии, технологического оборудования в области наногетероструктурной электроники СВЧПостановка целей и задач проведения опытно-технологических работ по разработке новых ТП производства МИС СВЧДекомпозиция задач ОТР, выделение базовых ТП и установление временных рамок и последовательности их разработкиПредставление планов развития для обсуждения и принятия на НТСФормулирование ТЗ для определенной последовательности разработки базовых технологических процессовОформление ТЗ на ОТРПредставление и защита разработанных ТЗ на НТСФормулировать цели, задачи, разрабатывать и согласовывать ТЗ на проведение связанных системно ОТРФизика и технология наногетероструктурных МИС СВЧ, исследования в новых направленияхСистемный анализМетоды декомпозиции сложных задачТехнологическое оборудование для производства МИС СВЧТехнико-экономическое обоснование развития отраслиСтандарты на проведение опытно-технологических работОтветственность за развитие производстваДеятельность, направленная на решение новых задач технологического характераA/04.7Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том чис7Анализ требований КД на МИС СВЧВыбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктурыМоделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктовМоделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделированияМоделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др.Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТДОценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧОценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧОсновы физики гетероэпитаксиальных структур и приборовПараметры полупроводниковых материаловСовременные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧОсновы технологии МИС СВЧМетоды сквозного проектирования МИС СВЧЕдиная система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организацииГОСТ по постановке продукции на производствоСамостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работДеятельность, направленная на подготовку заданий на конструирование МИС СВЧA/05.7Подготовка технического задания (ТЗ) на разработку маршрутных и операционных карт производства МИС СВЧ на основе разработанной конструкторской документации (КД), документации на отработанные технологические процессы (ТП) и данных моделирования7Анализ требований КД на МИС СВЧ, а также данных моделирования наногетероструктур, активных и пассивных элементовОценка на основе опыта и экспериментальных данных реализуемости технологии изготовления на МИС СВЧ и возможных рисковВыбор на основе нормативных документов ТП, в наиболее полном виде обеспечивающих требования к параметрам МИС СВЧСоставление ТЗ на разработку ТД с учетом требований КДСогласование ТЗ в соответствии с регламентом, принятым в организацииОценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧОценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧСоставлять согласно стандартам технические задания на разработку ТД МИС СВЧОформлять ТД для сопровождения производства МИС СВЧВзаимодействовать с коллективами цехов, участковОсновы физики гетероэпитаксиальных структур и приборовПараметры полупроводниковых материаловСовременные системы моделирования и проектирования СВЧ-устройств и МИС СВЧОсновы технологии МИС СВЧМетоды сквозного проектирования МИС СВЧЕСТД, нормативная документация, регламенты, принятые в организацииСтандарты по постановке продукции на производствоСамостоятельная профессиональная деятельность, предполагающая ответственность за выбор типа гетероструктур и активных элементов, как результат выполнения собственных работДеятельность, направленная на подготовку заданий на разработку технологических процессов МИС СВЧBПодготовка комплекта технологической документации (ТД) производства наногетероструктурных МИС СВЧ, организация и сопровождение технологического процесса производства7Ведущий инженер-технологИнженер-технологВысшее образование - специалитет, магистратураНе менее одного года работы в должности инженера-технологаПрохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;инструктаж по безопасному ведению работ32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей-Инженер-технолог32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулейB/01.7Разработка комплекта технологической документации для производства МИС СВЧ на основе ТЗ и нормативной документации7Анализ КД и ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к технологии производстваОбоснование выбора маршрутной технологииРазработка маршрутных карт ТП изготовления МИС СВЧРасчет технологических режимов операцийРазработка операционных карт ТПОформление технологической документации на ТП, согласование ее в соответствии с установленными регламентамиРаботать с нормативной документациейРаботать в системе автоматизации проектирования (САПР) подготовки ТД для производства МИС СВЧТехнология производства МИС СВЧСтандарты для подготовки технологической документацииСАПР подготовки ТДОтветственность за качество технологической документации на производство МИС СВЧB/02.7Планирование и организация сопровождения технологического процесса производства МИС СВЧ7Тестовый запуск, сопровождение и контроль выполнения технологических операций в ходе изготовления экспериментальной партии МИС СВЧАнализ данных измерения параметров тестовых структур МИС СВЧ, внесение предложений по коррекции режимов в технологическую документациюСопровождение установившегося технологического процесса производства МИС СВЧ: формирование баз данных измерения и контроля, составление протоколов и актов контроля параметров МИСАнализ данных измерений и контроля, предложения об изменении параметров ТППроводить анализ технологической документацииРаботать на части технологического оборудованияСтандарты на ТД: нормативная документация отрасли, организации на технологические процессыОсновы технологии МИС СВЧСистема менеджмента качества (СМК)Профессиональная деятельность, направленная на согласование работ группы инженеров-конструкторов и инженеров-технологовB/03.7Разработка методики входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧ7Анализ ТЗ в части требований к параметрам исходных материалов и выполнения отдельных операций при изготовлении МИС СВЧРазработка методик, выбор оборудования входного контроля материалов, используемых в производстве МИС СВЧ: подложек, металлов, диэлектриков и др.Разработка методик, выбор оборудования межоперационного контроля на тестовых структурах и элементах МИС СВЧРазработка методик, выбор оборудования выходного контроля на тестовых структурах и МИС СВЧРуководство проведением всех видов контроляФормирование базы данных всех видов контроляСтатистическая обработка данных контроля с оформлением протоколов и заключенийРаботать на оборудовании входного, межоперационного и выходного контроля при производстве наногетероструктурных МИС СВЧМетоды контроля параметров МИС СВЧ и технологических процессовОтветственность за контроль качества МИС СВЧB/04.7Реализация технологии на основе электронной литографии7Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе электронной литографииТехническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для проведения электронной литографииРуководство подготовкой подложек для проведения операций экспонирования фоторезистов на установке электронной литографииПодготовка установки электронной литографии к проведению операций прорисовки топологииРуководство реализацией операций резист-процессинга после экспонирования подложекИзмерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка электронной литографииПередача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картойРегламентные работы по тестированию установки электронной литографииРаботать с нормативной документациейРаботать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧМетоды электронной литографииТехнология производства МИС СВЧ на основе электронной литографииСтандарты для подготовки технологической документацииСАПР подготовки файлов топологии для электронной литографииОтветственность за качество ТП, основанного на электронной литографииB/05.7Реализация технологии на основе проекционной литографии7Анализ КД и ТЗ в части требований к реализации ТП на основе проекционной литографииТехническая проверка исходных файлов топологии МИС СВЧ для изготовления фотошаблоновРуководство изготовлением комплекта фотошаблонов в соответствии с ТЗРуководство подготовкой подложек для проведения последовательности операций ТП, основанного на проекционной литографии (фотолитографии)Подготовка установки проекционной литографии к проведению операцийРуководство реализацией последовательности операций изготовления МИС СВЧ после экспонирования подложекИзмерение параметров тестовых структур и элементов МИС СВЧ на подложке, оформление протокола и внесение данных в базу данных участка проекционной литографииПередача подложки на следующий участок в соответствии с маршрутной картойРегламентные работы по тестированию установок проекционной литографииРаботать с нормативной документациейРаботать в САПР подготовки ТД для производства МИС СВЧТехнология производства МИС СВЧ на основе проекционной литографииСтандарты для подготовки технологической документацииСАПР подготовки файлов топологии для проекционной литографииОтветственность за качество ТП проекционной литографииB/06.7Организация работы по повышению выхода годных МИС, разработка ТЗ для корректировки технологических операций7Разработка методик статистической обработки данных по уровню отклонений параметров и брака на пластинах наногетероструктурных МИС СВЧАнализ причин отклонений, отказов и связывание их с исходными параметрами материалов гетероструктур, технологических операций, топологииСоставление программы дополнительных исследований и измеренийПодготовка рекомендации по устранению причин отклонений параметров и брака МИС СВЧРазработка ТЗ для корректировки технологических операций и других мероприятий на основе анализа причин отклонений параметров и отказовРазрабатывать и владеть методиками статистической обработки данныхВладеть методиками межоперационного контроляАнализировать результаты экспериментовРазрабатывать ТЗВладеть методологией СМКМетоды планирования экспериментаМетоды и методики статистического анализаТеория допусков и теория чувствительностиОтветственность за процент выхода годных МИСДеятельность, направленная на решение задач повышения эффективности организацииCОсуществление проектирования и изготовления методами эпитаксии наногетероструктур для ОТР и производства МИС СВЧ7Ведущий инженер-технологИнженер-технологВысшее образование - специалитет, магистратураНе менее одного года работы в должности инженера-технологаПрохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;инструктаж по безопасному ведению работ32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей-Инженер-технолог32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулейC/01.7Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике7Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктурыОбоснование выбора машины для проведения эпитаксииРасчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоевМоделирование роста гетероструктур с применением TCADРазработка технологической документации на изготовление гетероструктурРаботать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксииТехнический английский языкОсновы материаловедения полупроводников и гетероструктурМетоды эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧРабота с установками сверхвысокого вакуумаОтветственность за качество исходных материалов для МИС СВЧC/02.7Подготовка и квалификация машин к росту продукции7Выполнение регламента подготовки машины к проведению ТП выращивания наногетероструктурыПодготовка материалов для проведения эпитаксииПроведение роста наногетероструктур в соответствии с ТПРаботать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксииТехнический английский языкОсновы материаловедения полупроводников и гетероструктурТехнология молекулярно-лучевой эпитаксииРабота с установками сверхвысокого вакуумаОтветственность за качество исходных материалов для МИС СВЧC/03.7Определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев7Выбор методов и технических средств для тестирования эпитаксиальных слоев наногетероструктурИзмерение основных параметров в процессе эпитаксииИзмерение параметров выращенных структур при завершении процесса эпитаксииФормирование базы данных результатов тестирования и измеренияРаботать с приборами и установками измерения параметров наногетероструктурМетоды измерения и тестирования параметров наногетероструктурОсновы материаловедения полупроводников и гетероструктурОтветственность за качество исходных материалов для МИС СВЧC/04.7Проведение статистического анализа поведения установки во время исследования, статистическое сопровождение по группам продукции и контроль качества по спецификации заказчика7Формирование базы данных параметров установки во время реализации процесса ростаАнализ путем статистической обработки точности выполнения операций и результата ростаАнализ данных статистической обработки об отклонениях в реализации роста и выработка корректирующих действий в следующей загрузкеОформление сдаточных документов с сертификатом наногетероструктур для заказчикаПроводить статистический анализОформлять протоколы и сертификаты (паспорта) продукцииМетоды статистической обработки данныхТеория и практика управления технологическими процессамиОтветственность за качество исходных материалов для МИС СВЧDПроведение ОТР по разработке базовых технологических процессов МИС СВЧ7Ведущий инженер-технологВысшее образование - специалитет, магистратураНе менее одного года работы в должности инженера-технологаПрохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований) в установленном законодательством порядке;инструктаж по безопасному ведению работ32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулей-Инженер-технолог32.10.6Производство интегральных схем, микросборок имикромодулейD/01.7Анализ КД и ТЗ на проведение ОТР, оценка достижимости заданных параметров МИС СВЧ по выбираемой или заданной технологии7Анализ экспериментальных данных предыдущих разработокОценка достижимости параметров путем моделирования основных электрических и эксплуатационных параметров, а также технологии изготовления активных и пассивных элементов МИС СВЧОрганизация проведения экспертных оценок достижимости заданных параметров по ТЗРазработка предложений о коррекции ТЗ на ОТР (в случае критичности достижения отдельных параметров)Разрабатывать и владеть методами моделирования элементов и МИС в СВЧ диапазонеВладеть методиками экспертных оценокВладеть методологией СМКМетоды моделирования активных и пассивных элементов МИС СВЧМетодики экспертных оценокОтветственность за корректность оценки ТЗ на реализуемостьD/02.7Определение базовых технологических процессов, применяемых материалов и оборудования для изготовления опытных образцов МИС СВЧ7Анализ технического задания на ОТР, определение базовых технологических процессов для реализации целей ОТРОбоснование применения материалов, используемых при производстве МИС СВЧРазработка перечня оборудования для реализации технологического процесса производства МИСРазработка технико-экономического обоснования выбранных решенийЗащита на НТС обоснованных технологических решений реализации ОТРОформлять технические решения в виде пояснительной записки, презентации, согласовывать их в соответствии с установленным регламентом и представлять на НТССистемный анализНормативная документация и описания базовых технологических процессовОсновы материаловедения применительно к электронике СВЧМетодики проведения технико-экономических исследований при производстве высокотехнологичной продукцииПрофессиональная деятельность, направленная на развитие инновационных разработокD/03.7Согласование принимаемых решений с представителями заказчика, конструкторскими подразделениями, метрологической службой и другими смежными структурами организации7Разработка комплекса согласованных мероприятий по улучшению параметров технологического процесса и МИС СВЧСистемный анализ влияния принимаемых согласованных решений на качественное и количественное улучшение основных параметров технологического процесса и МИС СВЧПринимать согласованные решенияВладеть методологией СМКСистемный анализТеория и практика принятия оптимальных решенийПроцессный метод системы менеджмента качестваОтветственность за конечный результат, удовлетворяющий заказчика и имеющий перспективу производства электронных компонент СВЧ-техникиD/04.7Управление командой по реализации ОТР7Постановка частных задач исследовательским и производственным коллективам для достижения основного результатаКонтроль и оценка достижений заданных результатовДекомпозировать ТЗ без потери системностиПринимать согласованные решенияВладеть методологией СМКСистемный анализТеория и практика принятия оптимальных решенийПроцессный метод системы менеджмента качестваОтветственность за выполнение всех требований ТЗ на ОТРФонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО)Генеральный директорСвинаренко Андрей ГеннадьевичАвтономная некоммерческая организация «Национальное агентство развития квалификаций», город МоскваЗАО «Научно-производственная фирма «Микран», город ТомскОАО НИИ Полупроводниковых приборов, город ТомскООО «НПФ «Сенсерия», город ТомскООО «НПФ «Сибтроника», город ТомскООО «РИД», город ТомскФедеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (ТУСУР), город Томск